Enhancement MOSFET (E-MOSFET)

robotics-university.com | Enhancement MOSFET atau disingkat dengan E-MOSFET adalah MOSFET yang hanya dapat bekerja pada mode enhancement (peningkatan) saja (tidak seperti halnya D-MOSFET yang dapat bekerja pada mode enhancement sekaligus mode deplesi). Hal ini mengharuskan tegangan gate harus positif terhadap source. Berikut penulis ringkaskan penjelasan mengenai operasi-operasi kerja E-MOSFET:

1. Kondisi VGS = 0 volt (tidak diberi tegangan)
Pada kondisi VGS = 0 volt, berarti tidak ada kanal yang menghubungkan antara source dan drain.

Gambar 1. Operasi E-MOSFET pada keadaan VGS = 0 volt

2. Kondisi VGS > 0 volt (VGS positif)
Pada kondisi VGS > 0 volt (positif), maka lubang-lubang bidang valensi pada substrat akan ditolak. Pada kondisi ini:

• Jika VGS nilainya diperbesar, maka kanal akan menjadi lebih lebar dan ID bertambah.
• Jika VGS nilainya diperkecil, maka kanal akan menjadi lebih sempit dan ID berkurang.

Gambar 2. Operasi E-MOSFET pada keadaan VGS > 0 volt (positif)

Catatan:
Nilai IDSS pada E-MOSFET adalah mendekati 0 Ampere. Oleh sebab itu, nilai ID terhadap VGS dapat dicari dengan persamaan:
........................(1)

Keterangan:
k = konstanta untuk E-MOSFET
IDS = arus drain
IDSS = arus drain dengan gate terhubung singkat
VGS(th) = tegangan ambang (threshold voltage)
Tegangan VGS pada saat E-MOSFET menghantar.



_____________________
Sumber pustaka:
Taufiq Dwi Septian Suyadhi, 2010, “Buku Pintar Robotika”, ANDI Offset, Yogyakarta
Thomas Sri widodo, 2002, “Elektronika Dasar”, Salemba Teknika, Jakarta

Share on Google Plus

About Taufiq D.S. Suyadhi